性能差距對比詳細介紹 ddr5和ddr4的區(qū)別大嗎 _生活百科

內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么？DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比！
隨著intel十二代酷睿處理器上線，支持DDR5內(nèi)存的600系列主板也隨之到來，首款支持DDR5內(nèi)存的是Z690芯片組，不過intel對于新一代的600系列主板并沒有做到一刀切。
而是分為DDR4和DDR5兩種版本的Z690主板，用戶可按個人需求來選擇內(nèi)存方案，當(dāng)然后期不排除廠商會推出DDR4和DDR5內(nèi)存雙支持的主板。
不過由于DDR5內(nèi)存剛剛上市，所以無論是支持DDR5的主板還是DDR5內(nèi)存都比較昂貴，上市初期最便宜的16G DDR5 4800MHz頻率都需要千元左右的價位。
那么內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么？下面小編分享一下DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比。

內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么？

1、內(nèi)存頻率
DDR5相比DDR4頻率實現(xiàn)翻倍！DDR4剛上市時，主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400MHz 。
后期才進一步將內(nèi)存頻率提升到2666Mhz或以上，目前旗艦級DDR4內(nèi)存頻率可以做到4266MHz或更高。
而DDR5內(nèi)存上市初期發(fā)布的起步頻率就是4800MHz，基本到達DDR4內(nèi)存極限了， DDR5內(nèi)存除了4800MHz頻率，同時發(fā)布的還有更高的5200MHz和6400MHz頻率，后續(xù)可能還會更高。
2、工作電壓
DDR5相比DDR4擁有更高的能耗比！DDR4的工作電壓為1.2V，而DDR5的工作電壓下降至1.1V，功耗降低8% ，意味著更加省電節(jié)能。
3、PMIC電源管理芯片
DDR4內(nèi)存的PMIC電源管理芯片是集成在主板上的，DDR5還將PMIC電源管理芯片從主板集成到內(nèi)存PCB板上面，它是智能電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的大腦。
在監(jiān)控電流的同時促進電壓斜坡和電平的可配置性，減輕主板電源管理的負擔(dān) 。

4、單芯片密度
DDR5單芯片密度較高，單顆粒可達16GB，而DDR4單顆粒只有4GB容量，所以DDR4的內(nèi)存容量會做的更大，單根內(nèi)存達到256G甚至512G很正常。
不過在消費級市場上，目前的內(nèi)存需求還沒有達到如此大，可能更多的會運用在高端消費級上。
5、接口不同
DDR4和DDR5在防呆口位置有略微的變動，意味著兩者不能相互兼容，想要支持DDR5內(nèi)存，那么主板必須要配備DDR5插槽才可以兼容DDR5內(nèi)存，無法使用在DDR4插槽中。

6、帶寬速度
內(nèi)存帶寬傳輸速度不同，以DDR4 3200頻率為例，帶寬為25.6GBps，DDR5 4800頻率的帶寬為38.4GBps 。
7、ECC內(nèi)存糾錯機制
DDR5內(nèi)存加入了ECC糾錯功能，不過此ECC非彼ECC，只在DDR5中加入的是On-die Ecc糾錯功能，可以理解為ECC的低配版， On-die Ecc只能糾錯內(nèi)存內(nèi)部。
而常說的Ecc，一般會有額外的顆粒分配給Ecc功能，能糾錯運行中通信上的錯誤。DDR5內(nèi)存上ECC功能主要還是提高內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低藍屏概率。

8、單根組建雙通道？
我們知道，兩根DDR4內(nèi)存才可以組建雙通道，不過DDR5內(nèi)存單根內(nèi)存就可以實現(xiàn)雙通道。
通過CPU-Z檢測，如果插入一條DDR5內(nèi)存，通道數(shù)就可以識別為雙通道，但是并非是完全意義的雙通道，可以理解為偽雙通道。
我們可以理解為原本DDR4內(nèi)存只有一條64Bit通道傳輸數(shù)據(jù)，雙通道為2x 64bits，而DDR5內(nèi)存是通過拆分為2條32Bits 。
從而達到了1根內(nèi)存雙通道的效果，當(dāng)然想要達到真正的雙通道理想值，還需要使用2根內(nèi)存組建。

9、時序
DDR4-2666時序普遍的基本在CL17-CL19 ，而DDR5-4800的普遍的時序一般是CL40，時序越高說明延遲越高，初期的DDR5可能在內(nèi)存延遲上并不如意。
不過頻率暴增后不少數(shù)據(jù)依然會相比DDR4略強。
其實這其實算是常態(tài)了，DDR3升級DDR4的時候，也有時序變高的問題，DDR4時序基本在CL17-CL19，相比DDR3的CL6-CL11 ，延遲也高了一些。
10、XMP3.0技術(shù)
XMP3.0技術(shù)是intel針對DDR5內(nèi)存一鍵超頻的技術(shù)，相對于XMP 2.0技術(shù) ，最新的XMP 3.0技術(shù)具備了5個配置文件。
其中這5個配置文件包括了3個固定配置和2個玩家自定義的配置，其名稱可修改。
且模塊上電壓可控，目前已經(jīng)有廠商推出了可視化的超頻軟件，超頻門檻大大下降，小白也能享受到超頻的樂趣。
DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比

為了更好的讓大家了解DDR4和DDR5內(nèi)存性能差異。
i9-12900K分別采用（Z690 DDR4版本主板 2根16G DDR4 3600頻率內(nèi)存）和（Z690 DDR5版本主板 2根16G DDR5 5200頻率內(nèi)存）進行測試。
并分別使用CPU-Z、ChineBench R20以及3DMark Time Spy以及游戲幀數(shù)實測。
1、CPU-Z基準(zhǔn)性能測試
采用DDR5內(nèi)存相比DDR4內(nèi)存，在CPU-Z基準(zhǔn)測試中，CPU單線程性能基本沒有任何提升，多線程性能也只略有提升，分數(shù)僅有200分左右的差距。

2、ChineBench R20測試
在ChineBench R20渲染測試中，與CPU-Z測試的相似， DDR5相比DDR4內(nèi)存在CPU單線程測試下基本持平，DDR5在CPU多線程跑分中僅多出了200分左右，性能提升并不大。

3、3DMark Time Spy測試
通過3DMark Time Spy我們更直觀的看出，DDR5對顯卡基本沒有提升，主要是對CPU性能有一定的提升。
結(jié)合以上的CPU-Z、ChineBench R20測試，準(zhǔn)確來說，DDR5對CPU多線程有一定的提升，但是提升有限，微乎其微。

4、游戲性能測試
至于DDR4和DDR5玩游戲差距，我們分別采用了DDR4和DDR5內(nèi)存對游戲進行測試，使用RTX3060Ti顯卡在2K高畫質(zhì)下，來看看游戲幀數(shù)有多大提升。
通過測試得出結(jié)論，采用DDR5相比DDR4內(nèi)存在游戲幀數(shù)上會略有提升，少則1-5幀，多則10多幀。

總結(jié)：
DDR5相比DDR4在頻率與帶寬上有著大幅提升，并且進一步對功耗降低，加入了On-die Ecc同時也提高了內(nèi)存的穩(wěn)定性。
但是唯一的缺點就是時序高，延遲高，畢竟DDR5還屬于初期產(chǎn)品，還需要一定的優(yōu)化過程。通過以上的測試，DDR5內(nèi)存對CPU多線程有一定的提升的，對獨顯基本沒有提升。
但是由于DDR5內(nèi)存頻率高，所以對游戲幀數(shù)是有一定的提升，或許核顯上表現(xiàn)會更好。
現(xiàn)階段裝機，如果想要更好的裝機性價比，個人還是建議完全成熟的DDR4內(nèi)存，畢竟支持DDR5的主板和DDR5內(nèi)存自身都比較偏貴，給裝機帶來更多成本。
【性能差距對比詳細介紹 ddr5和ddr4的區(qū)別大嗎】并且目前無論是游戲還是系統(tǒng)優(yōu)化上都還不夠，性能提升也是很小，當(dāng)然對于有錢任性且追求新產(chǎn)品，那么直接上DDR5平臺。

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